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南京大学物理学院博士王瑶佳、低至博士生王利铮为该工作共同第一作者，缪峰教授和梁世军副研究员为该工作的共同通讯作者。美元磁电阻以及电子空穴浓度比随栅压的变化。为了避免薄膜的氧化，生死拉收购数亿缪峰课题组利用干法转移技术制作了h-BN保护的高质量WTe2薄膜器件(如图a所示，生死拉收购数亿薄膜厚度约10 nm)，同时利用h-BN作为栅介质原位调控WTe2中的载流子浓度。
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